چهارشنبه 5 ارديبهشت 1403

 
 
     
 
     
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
آگهي درهموطن 
اخبار در موبايل 
آرشيو روزنامه 
تماس با ما 
توصيه روز
:: بازار کامپيوتر ::
معرفی تبلت چهار هسته‌يی شرکت ASUS‎
:: نکته آموزشی ::
چگونه گوشی اورجینال را از تقلبی تشخیص دهیم؟

اخبار داخلی دانش و فناوری افزایش فرکانس از گیگا به تراهرتز با اسپین‌ترونیک

 
 

يكشنبه 25 فروردين 1398

افزایش فرکانس از گیگا به تراهرتز با اسپین‌ترونیک

 
 

محققان ژاپنی روشی ارائه کردند که در آن می‌توان مغناطیسی شدن نانوذرات را با سرعت بالاتری انجام داد. با این کار فرکانس کارکرد ادوات الکترونیکی از مقیاس گیگاهرتز به تراهرتز ارتقاء پیدا می‌کند.

پژوهشگران روش جدیدی برای افزایش سه برابری سرعت محاسبات با استفاده از اسپین‌ترونیک ارائه کردند. این گروه تحقیقاتی به رهبری شینوبو اهیا ابزار نیمه‌هادی اسپین‌ترونیکی ساختند که می‌تواند بین حالت‌های مغناطیسی چند تریلیون‌ بار در ثانیه سوئیچ کند، این توان فرکانسی بیش از چیزی است که در حال حاضر در این حوزه وجود دارد.
نتایج این پروژه در قالب مقاله‌ای با عنوان “Large terahertz magnetization response in ferromagnetic nanoparticles” در نشریه Applied Physics Letters به چاپ رسیده است. تلفن هوشمند یا کامپیوتر در دنیای امروز بسیار رایج و فراگیر شده‌است و به سادگی می‌توان آنها را خرید. زمانی که به دستورالعمل‌های موجود در راهنماهای این ادوات توجه کنید، متوجه می‌شوید که فرکانس مورد استفاده در آنها در مقیاس گیگاهرتز است. بنابراین، فرکانس رایج در ادوات موجود در بازار در حد چند گیگاهرتز است اما دانشمندان در تلاش هستند تا این فرکانس را تغییر دهند و با افزایش فرکانس، عملکرد این ادوات را بهبود دهند.
پژوهشگران ژاپنی دانشگاه توکیو تلاش دارند تا با استفاده از اسپین‌ترونیک گام جدیدی در این مسیر بردارند. اهیا می‌گوید: «من امیدوارم که این تحقیقات بتواند منجر به تولید ادوات حافظه و مدارهای مبتنی بر اسپین‌ترونیک شود. در آینده نزدیک کاربران شاهد تلفن‌های هوشمند و دیتاسنترهای مبتنی بر اسپین‌ترونیک خواهند بود. ما دستاوردهای قابل توجهی در عملکرد سامانه‌های الکترونیکی نظیر هوش مصنوعی را به‌دست خواهیم آورد.»
محققان این پروژه نشان دادند میزان مغناطیسی شدن در نانوذرات MnAs در معرض لیزر تراهرتز با سرعت بالایی انجام می‌شود. اهیا می‌افزاید: «تاکنون محققان این حوزه از فیلم‌های فلزی فرومغناطیس برای مطالعه ماژول‌های مغناطیسی تراهرتز استفاده می‌کردند اما این کار مشکلاتی ایجاد می‌کند. از این رو ما نانوذرات فرومغناطیس را در لایه‌ای نازک به ضخامت ۱۰۰ نانومتر فیلم نیمه‌هادی قرار دادیم که با این کار میدان الکتریکی تراهرتز به‌طور یکنواخت پخش شده و اسپین را تغییر می‌دهد و در نتیجه مغناطیسی شدن نانوذرات انجام می‌شود.»

 
 
   
 
تحليل
:: اقتصادی ::
شارژ اضافی ۱۲۰هزار تومانی «یارانه‌ها» ذخیره نمی‌شود/ نحوه بهره‌مندی از این شارژ
:: فناوری اطلاعات ::
آغاز دور جدید حراج شماره‌های رند همراه اول
:: روی خط جوانی ::
چه زمانی برای اولین بار بگوییم "دوستت دارم"
:: ورزش ::
همه چیز درباره خویچا کواراتسخلیا، مارادونای گرجستانی
:: فرهنگ و هنر ::
قلم مقدس به‌دنبال معرفی اسوه برای نسل خبرنگاران است
:: حوادث ::
مرد تهرانی زن سابق خیانتکارش را کشت و خودکشی کرد

 
     
   
     
     
    ::  تماس با ما  ::  درباره ما  ::  sitemap  ::  آگهي درهموطن  ::
کليهء حقوق متعلق است به روزنامهء هموطن سلام. ۱۳۹۳ - ۱۳۸۳
طراحی و اجرای سايت : شرکت به نگار